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ASEMI高压MOS管20N65有什么特征?-Z
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ASEMI高压MOS管ASE20N65SE的封装体积为40.4mm。ASE20N65SE是一种TO-247封装的高压MOS管,拥有低固有电容、***开关特性、扩展安全操作区域和***的栅极电荷。它的漏极-源极电压(VDS )为650V,栅源电压(VGS )为30V,漏极电流(ID )为20A,功耗(PD)为239W。
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